A comparative study of the phenomenon of transport

in the stationary mode for Gallium nitride and aluminium nitride by the Monte Carlo method


Etude comparative du phénomène de transport

en régime stationnaire dans le nitrure de Gallium

et le nitrure d’Aluminium par la méthode de Monte Carlo


N. Bachir*, A. Hamdoune, B. Bouazza, N. E. Chabane-Sari

Unity of research of Materials and renewable Energies (U.R.M.E.R) 

University Abou –Baker Belkaid B.p:  119 TLEMCEN 13000,ALGERIA

* Corresponding author. E-mail: nadia_bachir @hotmail.com or nadia_bachir@yahoo.fr

Received: 14 May 2008; revised version accepted: 12 February 2009



     Recent advances in the growth and understanding of the physics of III-nitride semiconductors resulted in an expansion of the scope of their applications. These materials are useful for the implementation of the ternary and quaternary alloys. They offer a wide variety of compositions to change their electronic properties.  Also, they are of great importance especially in the areas of optoelectronics, as they are commonly used in light-emitting green, blue and ultraviolet diodes as well as laser diodes and the ultraviolet detectors. In this work, we are interested in studying the phenomenon of transport in two compounds among this group of materials, AlN and GaN in the stationary mode using the simulation method of Monte Carlo.


Keywords: III-V compounds; Gallium Nitride (GaN); aluminium nitride (AlN); band structure; Monte Carlo simulation.



     Les progrès récents dans la croissance et la compréhension de la physique des semi-conducteurs            III- nitrures ont entraîné une expansion vertigineuse de leurs domaines d’applications. Ces matériaux sont très pratiques pour l’application des alliages ternaires et quaternaires. Ils offrent une grande variété de compositions permettant de varier leurs propriétés électroniques. Aussi, ils sont d’une grande importance surtout dans les domaines de l’optoélectronique où ils trouvent un champ d’application très vaste, puisqu’ils sont couramment utilisés dans les diodes électroluminescentes vertes, bleues et ultraviolettes ainsi que dans les diodes laser et les détecteurs ultraviolets. Dans ce travail, nous nous intéressons à l’étude du phénomène de transport dans deux composés parmi ce groupe de matériaux, qui sont le nitrure d’aluminium (AlN)  et le nitrure de gallium (GaN), dans le régime stationnaire en utilisant la méthode de simulation de Monté Carlo.


Mots clés : composés III-V; nitrure de Gallium (GaN); nitrure d’Aluminium (AlN) ; structure de bande ; simulation Monté Carlo.



© 2015