Characterisation of the compactness of a Cu layer on a n-type InP electrode

CARACTERISATION DE LA COMPACITE D’UNE COUCHE DE CUIVRE SUR UNE ELECTRODE D’INP DE TYPE N

N. Moulayat1*, A. Etcheberry2 

1Laboratoire de Physique des Couches Minces et Matériaux pour l’Electronique ( L.P.C.M.M.E),

Département de Physique Faculté des Sciences, Université d’Oran Es-Sénia Oran, Algérie

2Institut de Réactivité, Electrochimie et Microporosité, UMR CNRS C0173, Université de Versailles St Quentin,

45 avenue des Etats-Unis, F-78035 Versailles Cedex, France

* Corresponding author. E-mail: moulayat@yahoo.fr

Received: 05 September 2004; revised version accepted: 20 October 2005

Abstract 

Copper electrodeposition was performed on an n-type InP electrode for two deposits obtained in a CuSO4 acidic solution, respectively at a high deposition overpotential (high non-equilibrium conditions) and in a low overpotential condition. The compactness of the deposition for each deposition potential value is discussed, on the basic of SEM observation and line profiles analysis of the surface of coated electrode.

An other method consisted in the reoxidation of the metallic layer (obtained in an acidic solution) in an alkaline solution : two different voltammograms could be observed for a given copper amount depending on the initial deposition potential.

Keywords: Semiconductor; InP; Electro-chemical deposit; Oxidization; Middle basic; SEM.

Résumé 

Le dépôt électrochimique de cuivre est réalisé sur une électrode InP de type n. Deux dépôts sont obtenus dans une solution acide CuSO4 en deux potentiels, respectivement l’un très près du potentiel d’équilibre (faible surtension) et l’autre en est très éloigné (forte surtension). Le caractère compact du dépôt pour chaque valeur du potentiel est discuté, par l'observation au MEB et l’analyse des lignes de profil de la surface de l’électrode.

Une autre méthode consiste en la réoxydation de la couche métallique de cuivre(obtenue dans une solution acide) dans une solution alcaline: deux voltammogrammes différents sont observés pour un dépôt de cuivre donné selon le potentiel de dépôt choisi.

Mots clés: Semi-conducteur; InP; Dépôt électrochimique; Oxydation; Milieu basique; MEB.

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