A Monte Carlo computer code for evaluating the electronic energy loss of channeling ions in silicon

 

Détermination de la perte d’énergie électronique des ions canalises dans le  silicium par la méthode de Monte carlo

 

O. El Bounagui, H. Erramli*

Laboratoire de Physique et Techniques Nucléaires, Faculté des Sciences Semlalia, P.B. 2390,

Université Cadi Ayyad, Marrakech, Maroc

* Corresponding author.

Received: 30 March 2006; revised version accepted: 11 July 2006

 

Abstract

     The basic concepts of computer simulation for determining channeling energy loss of  ions in the 0.8-2.0 MeV energy range in silicon crystals. In this work, we present a program of calculation that we developed to evaluate the electronic stooping powers of monocrystalline silicon materials for channeled ions along the <100> axis have been investigated. This program of calculation is based on the use Monte Carlo simulation method. We also studied the variations of the ratio of the electronic stopping powers as a function of an incident angle .

 

Keywords: Ion channeling; electronic energy loss; silicon; Monte Carlo simulation.

 

Résumé

     Dans ce travail, nous présentons un programme de calcul que nous avons développé pour évaluer les pouvoirs d’arrêt des matériaux monocristallins de type silicium pour des ions canalisés le long de l’axe <100> dans la gamme d’énergie 0,8-2,0 MeV. Ce programme de calcul est basé sur l’utilisation de la méthode de Monte Carlo. Nous avons aussi étudié les variations du rapport des pouvoirs d’arrêt des matériaux étudiés en fonction de l’angle d’incidence .

 

Mots clés : Canalisation d’ions; pouvoir d’arrêt électronique ; silicium ; simulation Monte Carlo.

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