Expression of the Hall coefficient of semiconductor

Expression de la constante de Hall dans les semiconducteurs

M. Maahoud1, L. El Abdellaoui2, H.Tijani1*

1 Faculté des Sciences, L.E.T.S., Département de Physique, B.P. 1014, Rabat, Morocco

2 Faculté des Sciences et Techniques, L.I.A.M., Département de Physique, B.P. 577, Settat, Morocco

* Corresponding author.

Received: 26 March 2006; revised version accepted: 22 June 2006

Abstract

We used a geometrical method to determine the free effective paths of the electrons and holes moving in a semiconductor bar subjected to an electric and magnetic field.  Then we deduced the general expression from the Hall coefficient while freeing it self from the resolution of the Boltzmann equation.  The expression obtained is identical to that given in the literature.

Keywords: Larmor radius; Mean free path; Electrical conductivity; Current density; Hall coefficient.

 

Résumé

Nous avons utilisé une méthode géométrique pour déterminer les libres parcours moyens effectifs des électrons et des trous se déplaçant dans un barreau semi conducteur soumis à un champ électrique et magnétique. Puis nous avons déduit l’expression générale du coefficient de Hall en s’affranchissant de la résolution de l’équation de Boltzmann. L’expression obtenue est identique à celle donnée dans la littérature.

Mots clés : rayon de Larmor ; libre parcours moyen ; conductivité électrique ; densité de courant ; coefficient de Hall.

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