INFLUENCE DU DOPAGE SUR LE POTENTIEL DE BANDES PLATES

DU SEMICONDUCTEUR InP-n EN MILIEU ACIDE SULFURIQUE 0,5 M

A. Trokourey1*, B. Aka2, T. Diaco1

1 Laboratoire de Chimie Physique, Université de Cocody-Abidjan

22 B.P. 582 Abidjan 22 (Côte d’Ivoire)

2 Département des Sciences et Technologie, Ecole Normale Supérieure d’Abidjan

08 B.P. 10 Abidjan 08, COTE D'IVOIRE

* Corresponding author. E-mail : trokourey@ci.refer.org

Received 13 April 2001 ; revised version accepted 05 June 2001

Abstract

The doped n semiconductor presents some different values of flat band potential which depends on the number of electron carriers. The measurements done in 0.5M acidic sulphuric medium showed that the potential of flat bands decreases as the number of carriers increases. Elsewhere, this function decreases linearly versus the logarithm of the number of major carriers.

Keywords : Indium phosphorus (InP) ; Semiconductor/electrolyte interface; Fermi level ; Differential capacity ; Flat band potential.

Résumé 

Le semiconducteur dopé de type n présente des valeurs différentes de potentiel de bandes plates selon le nombre d’atomes donneurs d’électrons. Les mesures effectuées en milieu acide sulfurique 0,5 M montrent qu’au fur et à mesure que le dopage du phosphure d’indium augmente, la valeur du potentiel de bandes plates décroît. En outre, la variation de cette grandeur en fonction du logarithme du nombre de porteurs majoritaires est une fonction linéaire décroissante.

Mots clés : Phosphure d’indium (InP); Interface semiconducteur /électrolyte; Niveau de Fermi; Capacité différentielle; Potentiel de bandes plates.

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