Etude morphologique de la surface de GaAs décapé in-situ par CCl4 et VCl4

A. Bchetnia*, A. Rebey, I. Moussa, B. El Jani.

Laboratoire de physique des Matériaux, Faculté des Sciences de Monastir

5000 Monastir - Tunisie

Received 20 November 2000




 

Abstract

We have investigated the surface morphological properties of the in situ etched GaAs epitaxial layers and semi insulating substrates in MOVPE reactor. The etching is accomplished by injecting CCl4 or VCl4 gas directly into the growth chamber at a various substrate temperatures between 500°C and 1000°C. The etching capability is achieved by employing in situ laser reflectometry. We found, that upon lower temperature (T<700°C), a dramatic improvement in surface morphology was obtained. However, the etching at higher temperature leads to a very smooth surface until an etched depth around 500 nm. The surface morphology of GaAs was also studied by an optical microscopy.

Keywords: MOVPE; Reflectometry; Etching; Morphology.

Résumé

Nous avons utilisé le tétrachlorure de vanadium (VCl4) et le tétrachlorure de carbone (CCl4) pour le décapage de GaAs. Le décapage in situ de GaAs s'est déroulé dans un réacteur horizontal EPVOM a pression atmosphérique. Le suivi in situ par la réflectométrie laser a montré que le décapage de GaAs par CCl4 où par VC4 à basse température (T<700°C) provoque une dégradation rapide de la surface. Tandis qu'à haute température (T>850°C), l'état de la surface ne commence à se dégrader qu'au-delà de 500 nm. Ces résultats ont été confirmés par l'observation au microscope optique des substrats GaAs décapés par VCl4 et CCl4.

Mots clés: EPVOM; Réflectométrie; Décapage; morphologie.

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