Etude de la réponse spectrale des cellules photovoltaïques à base de GaN

C. Touzi, Z. Chine, T. Boufaden, B. El Jani*

Laboratoire de Physique des Matériaux, Faculté des Sciences, 5000 Monastir. Tunisie

* Corresponding author. E-mail : belgacem.eljani@fsm.rnu.tn

Received 20 November 2000

Abstract

Theoretically spectral response of GaN p-n junction photodiodes was investigated in the ultraviolet region. In order to ameliore their performance, the influence of kinetic (minority carriers diffusion length , surface recombination velovity…) and geometrical parameters (jonction depth, depletion region width…) were studied. In effect, most of these parameters are limited by dopants concentrations. High quantum efficiency and UV/Visible contrast are predicted for low doping concentrations .

Keywords: GaN; Spectral response; Photodiode; UV/visible contrast.

Résumé

Dans ce travail, nous présentons la variation du rendement quantique théorique des cellules photovoltaïques à base de GaN en fonction de la longueur d'onde essentiellement dans le domaine de l'ultraviolet. L’effet des paramètres géométriques (profondeur de la jonction, largeur de la zone de déplétion...) et cinétiques (longueurs de diffusion des porteurs minoritaires, vitesses de recombinaison à la surface...) sur cette réponse est aussi étudié.

En effet, la variation de la plupart de ces paramètres est régie par la modification des concentrations des dopants donneurs ou accepteurs. La variation de la réponse spectrale et du taux de rejection a été donc étudiée en fonction du dopage.

Mots clés: GaN; Réponse spectrale; Photodiode; Contraste UV/visible.

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