Etude de la structure électronique

et de l’anisotropie optique de la surface (110) de Cu

M. Mebarki1*, A. Ziane1, A. Hadj-Larbi1, S. Bouarab2, M. A. Khan3

1Département de Physique, Institut des Sciences Exactes, Université

de Tizi-Ouzou, 15000 Tizi-Ouzou, Algeria

2Département de Fisica, Facultad de Ciencias, Universidad de Oviedo,

C./ Calvo Sotelo s/n, 33007, Spain

3Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg,

23, rue du Loess, F-63037 Strasbourg, France

* Corresponding Author. E-mail: mebarki71@yahoo.fr

Received : 24 December 2001; revised version accepted : 20 June 2002

Abstact

We have studied the electronic structure and the optical anisotropy of (110) surface of Cu through interband transitions calculation based on the selfconsistent ab-initio method of linear Muffin-Tin orbiatls (LMTO). Our results show that the introduction of a surface in the Cu sample has as effect the appearance of new states called ‘ surface states’. These states generate a large anisotropy between and components of the imaginary part of the dielectric function when the light is polarized in and directions respectively. The anisotropy effect is maximal at 2.1 eV in low energy and at 3.8 eV in high energy.

Keywords : LMTO-ASA method; Electronic structure; Optical anisotropy; Surface states; Dielectric function.

Résumé

Nous avons étudié la structure électronique et l’anisotropie optique dans la surface (110) de Cu à travers un calcul des transitions interbandes basé sur la méthode ab initio self-consistente des orbitales Muffin-Tin linéaires (LMTO). Nos résultats montrent que l’introduction d’une surface dans un échantillon de Cu a comme effet l’apparition des états nouveaux appelés ‘états de surface’. Ce sont ces états qui donnent naissance à une large anisotropie entre les composantes et de la partie imaginaire de la fonction diélectrique lorsque la lumière est polarisée dans les directions et respectivement. L’effet de l’anisotropie est maximum à 2.1 eV aux basses énergies et à 3.8 eV à hautes énergies.

Mots clés : Méthode LMTO-ASA; Structure électronique; Anisotropie optique; Etats de surface; Fonction diélectrique.

 

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