Calcul des propriétés électroniques

des semiconducteurs ZnSe et BeSe et LEURS alliages Zn1-xBexSe

S. Drablia1*, F. Benkabou2, H. Meradji1, H. Belkhir1

1 Laboratoire L.E.S.I.M.S, Département de Physique,Uuniversité de Annaba, Algérie

2 Laboratoire C.M.S.L, Département de physique, Université de Sidi Belabbes, Algérie

* Corresponding author. E-mail : s_drablia@yahoo.fr

Received : 07 May 2002; revised version accepted : 03 September 2003

Abstract 

The Empirical Pseudopotential method (EPM) with the virtual Crystal approximation (VCA) are used to study the electronics properties of semiconductors ZnSe and BeSe and their alloy in a zinc-blende structure. We report the results concerning the variations of the gaps and the crossover of the direct and indirect band gap and the bowing.

Keywords : ZnSe; BeSe; Electronic structure; Optoelectronic; Pseudopotential; Alloy; VCA; Bowing.

Résumé 

Pour étudier les propriétés électroniques des semiconducteurs ZnSe et BeSe et leur alliage dans la structure zinc-blende, nous avons utilisé la méthode du Pseudopotentiel Empirique (EPM) couplée avec l’Approximation du Cristal Virtuel (VCA). Nous avons obtenu les résultats concernant la variation des gaps d’énergies et le croisement du gap direct et indirect ainsi que le paramètre de courbure.

Mots clés : ZnSe ; BeSe ; Structure électronique ; Optoélectronique ; Pseudopotentiel ; Alliage ; VCA ; Paramètre de courbure.

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