Opto-electronical properties of Cd1-xZnxS thin films prepared by chemical bath deposition

Z . Khéfacha, M. Mnari, M. Dachraoui*

Laboratoire de Chimie Analytique et Electrochimie, Faculté des sciences de Tunis, Campus Universitaire - 1060 Tunis, Tunisie

* Corresponding author. E-mail : m.dachraoui@planet.tn

Received : 27 May 2002; revised version accepted : 01 June 2003

Abstract

A Cd1-xZnxS layer was deposited chemically on glass substrate, at low temperature (q = 70 °C), from aqueous solution containing cadmium and zinc sulfates, ammonia and thiourea. Optical properties indicated that those films are transparent ( T » 70-80 %) and showed a non homogeneous variation of gap energy versus zinc composition in the range 0 - 0.18. Absorption curves, indicated that Cd0.88Zn0.12S (Eg » 2.41 eV) was characterized by a great purity in comparison with other films and a dense conduction band in states at high value of energy.

Keywords: Cadmium zinc sulfide; Chemical bath deposition; Optical properties: band gap; Absorption coefficients and band structure.

Résumé

Des couches minces de Cd1-xZnxS ont été préparées par dépôt chimique en solution à 70 °C en utilisant les sulfates de cadmium et de zinc comme sources des ions métalliques et la thiourée comme précurseur des ions sulfures et l’ammoniac comme agent complexant. Les spectres de transmission montrent que ces couches sont transparentes et que la variation de la largeur de la bande interdite Eg en fonction de la composition du zinc n’est pas monotone pour x compris entre 0 et 0.18. Quant aux courbes d’absorption, elles révèlent que les couches de Cd0.88Zn0.12S sont pures et admettent une bande de conduction dense en états pour des valeurs importantes en énergie.

Mots clés : Cd1-xZnxS ; Dépôt chimique en solution ; Propriétés optiques : énergie du gap ; Coefficients d’absorption et structure de bande.

© 2015