EFFET DE L’INTERACTION DE DEFAUTS SUR LE TRANSPORT

ELECTRONIQUE A TRAVERS UNE BARRIERE DE POTENTIEL

L. El Mir*, A. Amlouk

Laboratoire de Physique des Matériaux et de l’environnement, Faculté des Sciences de Gabès,

Route De Médenine 6029 Gabès, Tunisie

* Corresponding author. E-mail : Lassaad.ElMir@fsg.rnu.tn

Received : 18 June 2002; revised version accepted : 10 November 2002

Abstract

We are studying in details the effect of defect interaction with the carrier during their transport through a potential barrier. The defect potential is coulombic with a corrected center cell (a short-range potential on which a long-range one is superposed ). In such a case the interaction can only be explained by the term coulombian. The modelization of this effect provides a relation linking the term of interaction with ionization energy, thus explaining, why the ionization energy varies with the defect concentration. This theoretical model is in agreement with the experimental results.

Keywords : I (V); Center cell; DX center; GaAlAs.

Résumé 

Nous étudions en détail l’effet de l’interaction des défauts avec les porteurs sur le transport électronique à travers une barrière de potentiel. Le potentiel de ces défauts est un potentiel coulombien avec correction de cellule centrale (superposition d’un potentiel à courte portée et d’un potentiel à longue portée). Dans ce cas l’interaction ne peut être expliquée que par le terme coulombien.

La modélisation de cet effet a permis d’établir une relation qui relie le terme d’interaction coulombienne et la concentration de défauts d’une part, et le terme d’interaction et l’énergie d’ionisation d’autre part et donc, d’expliciter pour la première fois la variation de l’énergie d’ionisation en fonction de la concentration de défauts. En plus, nous avons montré le bon accord entre les résultats théoriques de I(V) et les résultats expérimentaux.

Mots clés : I (V); Cellule centrale; Centre DX; GaAlAs.

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