An electrical modeling of I.T.O/bPbF2/I.T.O thin film cell

MODELISATION ELECTRIQUE d'une cellule I.T.O / PbF2b / I.T.O

en couches minces

A. Hakam*, M. Walia-Allah, A. Dikrallah, Y. Saidi, H. El Rhaleb

Laboratoire de Spectronomie Physique Appliquée, Département de Physique,

Faculté des Sciences,B.P. 1014,Rabat - Maroc

* Correspondingauthor.E-mail :ahakam@fsr.ac.ma
Received : 04 December 2002; revised version accepted : 20 January 2004

Abstract

We carry out the analysis of the impedance frequency data of  I.T.O / bPbF2 / I.T.O thin film symmetrical cell in the frequency range of 3.10-3 - 8.104 Hz by the Complex Non-linear Least Squares (CNLS) curve fitting program (LEVM v7.1). A modelization of electrical response at room temperature is proposed.

Keywords : PbF2; In2O3; Thin film; Electrical properties; Impedance spectroscopy.

Résumé

Les données d’admittance complexes de la cellule symétrique I.T.O / PbF2b / I.T.O en couches minces sont analysées dans la gamme de fréquence 3.10-3 - 8.104 Hz à l'aide du programme numérique (LEVM v7.1) utilisant la méthode des moindres carrés complexes non linéaires (CNLS). Une modélisation de la réponse électrique à température ambiante est proposée.

Mots clés : PbF2; In2O3; Couches minces; Propriétés électriques; Spectroscopie d’impédance.

© 2015