A study of hopping conduction in Si:Sb

Etude du régime de conduction activée dans Si :Sb

L. Essaleh1*, A. Erramli1, E. Choukri1 , G. Sirmain2 , J. Galibert2 , S. Pasquier2, J. Léotin2

1Laboratoire d’Etudes Structurales, Electriques et Optiques (L.E.S.E.O.)

Université Cadi-Ayad, Faculté des Sciences et Techniques, Département de Physique, Guéliz. B. P. 549 Marrakech, Maroc

2Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, SNCMP, Complexe Scientifique de Rangueil, 31077 Toulouse Cédex, France

* Corresponding author. E-mail : lessaleh@fstg-marrakech.ac.ma,

Received : 30 September 2002; revised version accepted :02 January 2004

Abstract

The Hall effect and the electrical conductivity, in the insulated regime, are measured between 4.2 to 300 K in the weakly compensated Si :Sb photoconductors. The e 3 mechanism is predominant below 10 K. The experimental data are analyzed using the theoretical model of Shklovskii and Efros. We give an estimation for the percolation parameter c .

Keywords : Conductivity ; Hopping ; Hall ; Magnetoresistance.

Résumé

L’effet Hall et la conductivité électrique, dans le régime isolant, sont mesurées entre 4.2 et 300 K dans des photoconducteurs Si :Sb très faiblement compensés. La conduction électrique s’effectue suivant le mécanisme e 3 pour des températures inférieures à 10 K. Les données expérimentales sont analysées à partir des modèles théorique de Shklovskii et Efros. Nous donnons une estimation du paramètre de percolation c .

Mots Clés : Conduction activée; Magnetoresistance.

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