the result of the photoluminescence in the study of the electrochemical behavior in the basic milieu of a modified electrode InP(n) (with a copper deposit)

APPORT DE LA PHOTOLUMINESCENCE DANS L’ETUDE

DU COMPORTEMENT ELECTROCHIMIQUE EN MILIEU BASIQUE

D’UNE ELECTRODE D’INP (n) MODIFIEE (AVEC DEPOT DE CUIVRE)

N. Moulayat1*, A. Etcheberry2 

1Laboratoire de Physique des Couches Minces et Matériaux pour l’Electronique ( L.P.C.M.M.E),

Département de Physique Faculté des Sciences, Université d’Oran Es-Sénia Oran, Algérie

2Institut de Réactivité, Electrochimie et Microporosité, UMR CNRS C0173,Université de Versailles St Quentin,

45 avenue des Etats-Unis, F-78035 Versailles Cedex, France

* Corresponding author. E-mail : moulayat@yahoo.fr

Received :30 October 2003; revised version accepted : 19 April 2004

Abstract

The oxidation of a copper coating on InP, in basic aqueous solutions, depends strongly on the morphology of the deposit that is to say of the bias potential at which it is formed. This has been demonstrated by in situ photoluminescence measurements. This last technique is particularly sensitive to the morphology of the deposit, and complementary to electrical characterizations of semiconducting/electrolyte junctions.

Keywords: Semiconductor electrode; InP; Copper electrochemical deposition; Copper oxidation; Photoluminescence.


Résumé

L’oxydation du dépôt de cuivre en milieu basique dépend fortement de la morphologie du dépôt c’est-à-dire du potentiel de maintien où il est formé ce qui a été démontré dans cette étude par des mesures réalisées en photoluminescence. La photoluminescence est une technique optique in situ qui permet la caractérisation des propriétés de la jonction semiconducteur/électrolyte.

Mots clés : Semiconducteur; InP; Dépôt électrochimique; Oxydation; Milieu basique; Photoluminescence.

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